Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 상품 Created with Pixso.
IGBT 모듈
Created with Pixso.

공간 절약 설비를 위한 컴팩트하고 가벼운 IGBT 모듈 KES650H12A8L-2M

이름

공간 절약 설비를 위한 컴팩트하고 가벼운 IGBT 모듈 KES650H12A8L-2M

브랜드 이름: Krunter
모델 번호: KES650H12A8L-2M
상세 정보
제품 설명
상세 정보
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
강조하다:

컴팩트 IGBT 모듈

,

공간 절약 IGBT 모듈

,

가벼운 IGBT 모듈

제품 설명

KES650H12A8L-2M

  • 트렌치 FS IGBT 기술로 높은 전력 밀도

  • 낮은 VCE (sat)

  • 평행 작동 가능; 대칭 설계 & 긍정적 온도 계수

  • 낮은 인덕턴스 설계

  • NTC 온도 센서

  • DBC 기술을 이용한 격리된 기판

  • 폼드 터미널을 가진 컴팩트하고 견고한 설계

내부 회로 다이어그램

공간 절약 설비를 위한 컴팩트하고 가벼운 IGBT 모듈 KES650H12A8L-2M 0

사양 매개 변수

유형 VBR
전압		 VGS (th)
전압		 신분
앰프		 RDS (동)
mΩ		 IDSS
uA		 TJ Rth ((JC)
K/W		 Ptot
와트		 회로 패키지 기술
KES400H12A8L-2M 1200V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W 2 패키지 ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200V 3.2V 650A 2.2mΩ 200uA 175°C 0.064 3200W 2 패키지 SIC MOSFET


공간 절약 설비를 위한 컴팩트하고 가벼운 IGBT 모듈 KES650H12A8L-2M 1

태그: 

트랜지스터 모듈  

IGBT 모듈  

IGBT 전원 모듈

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