Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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제품 세부 정보

Created with Pixso. 집 Created with Pixso. 상품 Created with Pixso.
IGBT 모듈
Created with Pixso.

KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업

이름

KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업

브랜드 이름: Krunter
모델 번호: KHG75H12E4L
MOQ: 1
가격: 협상 가능
지불 조건: 협상 가능
공급 능력: 협상 가능
상세 정보
제품 설명
상세 정보
원래 장소:
중국
Product:
IGBT Module
Output Type:
Rail to Rail
Date Code:
Newest code
Maximum Clock Frequency:
8 MHz
Maximum Junction Temperature:
175°C
Input Voltage Range:
4.5 V to 18 V
Warranty:
365days
Stock:
100PCS
Operating Temperature:
-40 to +125
Configuration:
6-Pack
Maximum Collector Current:
600A
Factory Packing Quantity:
24
Moisture Sensitive:
YES
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.8V
Feature:
High current
포장 세부 사항:
표준 포장
공급 능력:
협상 가능
강조하다:

KHG75H12E4L IGBT 모듈

,

8MHz IGBT 모듈

,

고주파 igbt 전원 모듈

제품 설명

KHG75H12E4L 산업의 고전압 및 고주파 전력 분배용 IGBT 모듈

KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업 0

KHG75H12E4L

  • NPT IGBT 기술

  • 10μs 단회로 능력

  • 낮은 전환 손실

  • 양 온도 계수인 VCE (sat)

  • 제곱 RBSOA

  • 낮은 인덕턴스 케이스

  • 빠른 & 부드러운 역 복원 반 병렬 FWD

  • DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판
 
 

 

적용

내부 회로 다이어그램

  • 용접기

  • 인버터

  • 인덕션 난방

  • 플라즈마 절단 기계

 KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업 1

사양 매개 변수

유형 VCES
전압		 VGES
전압		 IC
앰프		 VCE (SAT)
전압		 (EON+EOFF)
mJ		 TJ Ptot
와트		 회로 패키지 기술
 
KWG50F12E4T 1200V ± 20 50A 2.90V 6.9mJ 150°C 408 4 패키지 62mm ((T) 핵무기협약
KWG75F12E4T 1200V ± 20 75A 2.90V 110.8mJ 150°C 595 4 패키지 핵무기협약

KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업 2

 

 

태그: 

트랜지스터 모듈  

IGBT 모듈  

IGBT 전원 모듈

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