Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
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제품 세부 정보

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IGBT 모듈
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낮은 VCE sat 및 단회로 전류 IGBT 모듈 및 낮은 스위칭 손실 KUG100H12S4L

낮은 VCE sat 및 단회로 전류 IGBT 모듈 및 낮은 스위칭 손실 KUG100H12S4L

브랜드 이름: Krunter
모델 번호: KUG100H12S4L
상세 정보
Place of Origin:
China
Technology:
Si
Collector-Emitter Saturation Voltage:
1.5V
Collector-Emitter Capacitance:
100pF
Installation Style:
SMD/SMT
Product:
Diode Power Modules
Manufacturer:
PRX
Warranty:
365days
Power Dissipation:
500W
Subcategory:
Interface ICs
Lead Times:
Immediately Shipment
Voltage Rating:
1200V
Dimensions:
106.4*61.4*30.5mm
Moisture Sensitive:
YES
강조하다:

단회로 IGBT 전류 모듈

,

낮은 VCE sat IGBT 모듈

,

낮은 전환 손실 IGBT 모듈

제품 설명
  • 낮은 VCE (sat)

  • 10μs 단회로 전류

  • 낮은 전환 손실

  • 양성 VCE (sat) 온도 계수

  • 매우 낮은 전압 하락과 부드러운 회복을 가진 자유 바퀴 다이오드

  • 구리 기판을 가진 산업 표준 패키지

내부 회로 다이어그램

낮은 VCE sat 및 단회로 전류 IGBT 모듈 및 낮은 스위칭 손실 KUG100H12S4L 0

사양 매개 변수

유형 VCES VGES IC VCE (SAT) (EON+EOFF) TJ Ptot 회로 패키지 기술
전압 전압 앰프 전압 mJ 와트
KUG40H12S4L 1200V ± 20 40A 2.80V 7.2mJ 150°C 250W 2 패키지 34mm 핵무기협약
KUG50H12S4L 1200V ± 20 50A 2.80V 7.2mJ 150°C 285W 2 패키지
KUG75H12S4L 1200V ± 20 75A 2.80V 10.6mJ 150°C 395W 2 패키지
KUG100H12S4L 1200V ± 20 100A 3.10V 13.4mJ 150°C 555W 2 패키지
KUG150H12S4L 1200V ± 20 150A 2.80V 170.0mJ 150°C 790W 2 패키지
KUG40H12E4L 1200V ± 20 40A 2.10V 80.8mJ 175°C 250W 2 패키지 트렌치 FS
KUG50H12E4L 1200V ± 30 50A 1.65V 100.1mJ 175°C 285W 2 패키지
KUG75H12E4L 1200V ± 30 75A 1.65V 180.0mJ 175°C 395W 2 패키지
KUG100H12E4L 1200V ± 30 100A 1.65V 240.8mJ 175°C 555W 2 패키지
KUG40H12W4L 1200V ± 20 40A 2.10V 8.4mJ 175°C 250W 2 패키지 트렌치
빨리
KUG50H12W4L 1200V ± 20 50A 2.25V 9.4mJ 175°C 285W 2 패키지
KUG75H12W4L 1200V ± 20 75A 2.00V 140.0mJ 175°C 395W 2 패키지
KUG100H12W4L 1200V ± 20 100A 1.90V 19.5mJ 175°C 555W 2 패키지
KUG150H12W4L 1200V ± 20 150A 1.90V 270.8mJ 175°C 790W 2 패키지

낮은 VCE sat 및 단회로 전류 IGBT 모듈 및 낮은 스위칭 손실 KUG100H12S4L 1